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  Design Optimization of an Enhanced-Mode GaN HEMT with Hybrid Back Barrier and Breakdown Voltage Prediction Based on Neural Networks 基于神经网络的混合背垒增强型GaN HEMT设计优化及击穿电压预测
相关领域
高电子迁移率晶体管
击穿电压
人工神经网络
晶体管
电压
功勋
材料科学
反向传播
氮化镓
光电子学
电子工程
计算机科学
电气工程
工程类
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人工智能
图层（电子）
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期刊：Electronics 作者：Kuiyuan Tian; Jinwei Hu; Jiangfeng Du; Qi Yu 出版日期：2024-07-25 |
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