标题 |
Study of Pass-Gate Voltage (VPASS) Interference in Sub-30nm Charge-Trapping (CT) NAND Flash Devices
亚30nm电荷俘获(CT)NAND闪存器件中通栅电压(VPASS)干扰的研究
相关领域
与非门
阈值电压
光电子学
材料科学
闪光灯(摄影)
闪存
干扰(通信)
逻辑门
缩放比例
俘获
电压
删除
短通道效应
电气工程
物理
计算机科学
晶体管
光学
MOSFET
频道(广播)
计算机硬件
工程类
生物
数学
程序设计语言
生态学
几何学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Yi‐Hsuan Hsiao; Hang-Ting Lue; Kai‐Chun Chang; Chih-Chang Hsieh; Tzu-Hsuan Hsu; et al 出版日期:2011-05-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|