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 Use of metal strip in stacked gate oxide JLTFET improves device quality and single-event-transient effect 在堆叠栅氧化物JLTFET中使用金属条提高了器件质量和单事件瞬态效应
相关领域
瞬态（计算机编程）
材料科学
质量（理念）
栅氧化层
事件（粒子物理）
氧化物
金属
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期刊：Materials Science and Engineering: B 作者：Amin Vanak; Amir Amini 出版日期：2024-07-01 |
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