Performance limits of vertical GaN of conventional doped pn and natural polarization superjunction devices

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标题	Performance limits of vertical GaN of conventional doped pn and natural polarization superjunction devices 常规掺杂pn和自然极化超结器件垂直GaN的性能极限相关领域兴奋剂光电子学材料科学异质结击穿电压极化（电化学）宽禁带半导体电压电气工程化学工程类物理化学
网址	https://doi.org/10.1063/1.5109389
DOI	10.1063/1.5109389 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiang Zhou; Jennifer Howell-Clark; Zhibo Guo; Collin Hitchcock; T. Paul Chow 出版日期：2019-09-09
求助人	英勇冥王星在 2024-10-30 16:53:43 发布自江苏，悬赏 10 积分
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