Improved Multi-bit Storage Reliablity by Design of Ferroelectric Modulated Anti-ferroelectric Memory

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标题	Improved Multi-bit Storage Reliablity by Design of Ferroelectric Modulated Anti-ferroelectric Memory 铁电调制反铁电存储器提高多位存储可靠性相关领域铁电性极化（电化学）物理算法计算机科学光电子学化学物理化学电介质
网址	https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720659
DOI	10.1109/iedm19574.2021.9720659 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Yannan Xu; Yang Yang; Shengjie Zhao; Tiancheng Gong; Pengfei Jiang; et al 出版日期：2021-12-11
求助人	LYDC 在 2024-10-15 20:24:02 发布自贵州，悬赏 10 积分
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