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Simulation and characterization of millimeter-wave InAlN/GaN high electron mobility transistors using Lombardi mobility model
毫米波InAlN/GaN高电子迁移率晶体管的Lombardi迁移率模型模拟与表征
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Jiangfeng Du; Hui Yan; Chenggong Yin; Zhihong Feng; Shaobo Dun; et al 出版日期:2014-04-25 |
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