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 Comparison of the annealing behavior of high-dose nitrogen-, aluminum-, and boron-implanted 4H–SiC 高剂量氮、铝和硼注入4H-SiC退火行为的比较
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期刊：Applied Physics Letters 作者：S. R. Seshadri; G.W. Eldridge; Anant Agarwal 出版日期：1998-04-20 |
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