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标题
[高分] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy
用正电子湮没谱研究Mg注入GaN中空位型缺陷的控制
相关领域
空位缺陷 退火（玻璃） 材料科学 离子注入 分析化学（期刊） 晶体缺陷 结晶学 离子 杂质 原子物理学 化学 冶金 物理 色谱法 有机化学
网址
https://doi.org/10.1117/12.2541518
DOI
10.1117/12.2541518 doi
其它 期刊：
作者：Akira Uedono; Marcel Dickmann; Werner Egger; C. Hugenschmidt; Shoji Ishibashi; et al
出版日期：2020-02-16
求助人
碧蓝山柳 在 2024-12-11 14:49:06 发布自北京，悬赏 60 积分
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