31 W/mm at 8 GHz in InAlGaN/GaN HEMT With Thermal CVD SiNx Passivation

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标题	31 W/mm at 8 GHz in InAlGaN/GaN HEMT With Thermal CVD SiNx Passivation 热CVD SiNx钝化InAlGaN/GaN HEMT在8 GHz下的31W/mm 相关领域钝化高电子迁移率晶体管等离子体增强化学气相沉积材料科学化学气相沉积分析化学（期刊）光电子学物理晶体管化学纳米技术有机化学图层（电子）电压量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/led.2024.3355051
DOI	10.1109/led.2024.3355051 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Atsushi Yamada; Yuichi Minoura; N. Kurahashi; Takumi Kawaguchi; Takao Ohki; et al 出版日期：2024-03-01
求助人	liuchuck 在 2024-12-26 14:27:29 发布自湖南，悬赏 10 积分
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