| 标题 |
 Current-collapse-free operations up to 850 V by GaN-GIT utilizing hole injection from drain GaN-GIT利用漏极空穴注入实现高达850 V的无电流崩溃操作
相关领域
晶体管
电流（流体）
电压
电极
排水诱导屏障降低
电气工程
材料科学
功率（物理）
逻辑门
光电子学
阈值电压
化学
工程类
物理
物理化学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's 作者：Saichiro Kaneko; Masayuki Kuroda; Manabu Yanagihara; Ayanori Ikoshi; Hideyuki Okita; et al 出版日期：2015-05-10 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
杳鸢
嗯哼
熊猫
tuanheqi
寻道图强
竹筏过海
双黄
冷傲的薯片
认真的迎南
VDC
kento
pluto
aaaaaab
傲慢与偏见zz
cctv18
小二郎
善良夜梅
Omega
沙之聚
黑糖珍珠
皖公网安备34019202002308
