| 标题 |
 First-principles calculations of lightly Ga-doped monocrystalline silicon grown by Czochralski method 直拉法生长轻掺杂Ga单晶硅的第一性原理计算
相关领域
单晶硅
硅
兴奋剂
材料科学
直拉法
光电子学
结晶学
计算化学
化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Theoretical Chemistry Accounts 作者：Congcong Fang; Bin Meng; Guoqiang Lv; Xiaohua Yu; Xing Lu; et al 出版日期：2025-03-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
请叫我风吹麦浪
劲秉
cdercder
QOP
科研小民工
爱静静
bc
迷人秋烟
持卿
昏睡的蟠桃
pluto
彭于彦祖
nozero
义气山柳
MchemG
默默地读文献
Singularity
tuanheqi
VDC
一蓑烟雨任平生
皖公网安备34019202002308
