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 Extended spin relaxation times of optically addressed vanadium defects in silicon carbide at telecommunication frequencies 电信频率下碳化硅中光学寻址钒缺陷的扩展自旋弛豫时间
相关领域
碳化硅
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期刊：Physical Review Applied 作者：Jonghoon Ahn; Christina Wicker; Nolan Bitner; Michael T. Solomon; Benedikt Tissot; et al 出版日期：2024-10-29 |
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