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 Characterization of Diverse Gate Oxides on 4H-SiC 3D Trench-MOS Structures 4H-SiC三维沟槽-MOS结构上不同栅极氧化物的表征
相关领域
材料科学
沟槽
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期刊：Materials Science Forum 作者：Christian Tobias Banzhaf; Michael Grieb; Achim Trautmann; Anton J. Bauer; Lothar Frey 出版日期：2013-01-01 |
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