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Progress and prospects for GaN and the III–V nitride semiconductors
GaN和III-V族氮化物半导体的进展与展望
相关领域
分子束外延
氮化物
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期刊:Thin Solid Films 作者:S. Strite; Mao Lin; H. Morkoç̌ 出版日期:1993-08-01 |
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