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[高分] 学位论文 铜烧结1200V/300A SiC MOSFET半桥模块封装与可靠性研究
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DOI
10.27670/d.cnki.gcqdu.2023.001376 doi
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FLZLC 在 2024-12-23 14:42:31 发布自北京,悬赏 50 积分
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