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Double-Sided Cooling Half-Bridge Power Module of 650V/150A Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor
650V/150A氮化镓高电子迁移率晶体管双面冷却半桥功率模块
相关领域
材料科学
氮化镓
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光电子学
晶体管
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期刊:IEEE Transactions on Industrial Electronics 作者:Shengchang Lu; Bo Li; Emmanuel Arriola; Zichen Zhang; Carl Nicholas; et al 出版日期:2024-04-29 |
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