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Reduction of Density of 4H-SiC / SiO<sub>2</sub> Interface Traps by Pre-Oxidation Phosphorus Implantation
预氧化磷注入降低4H-SiC/SiO2界面陷阱密度
相关领域
材料科学
离子注入
氧化物
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期刊:Materials science forum 作者:Tomasz Sledziewski; Aleksey Mikhaylov; Sergey A. Reshanov; Adolf Schöner; Heiko B. Weber; et al 出版日期:2014-02-01 |
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