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Frequency synaptic behavior of ZnO/HfZrO memristor with pulsed stimuli
脉冲刺激下ZnO/HfZrO忆阻器的频率突触行为
相关领域
刺激(心理学)
记忆电阻器
神经科学
遗忘
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量子力学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Jie Lu; Zhou Xiang; Kexiang Wang; Ziyu Wang; Si Shi; et al 出版日期:2024-08-19 |
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