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 Atomic layer annealing for modulation of the work function of TiN metal gate for n-type MOS devices 原子层退火调制n型MOS器件锡金属栅功函数
相关领域
工作职能
锡
材料科学
退火（玻璃）
原子层沉积
金属浇口
光电子学
薄膜
纳米尺度
MOSFET
结晶度
纳米技术
图层（电子）
栅氧化层
晶体管
冶金
电气工程
复合材料
电压
工程类
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| 其它 |
期刊：Applied Surface Science 作者：Chun‐Yuan Wang; Chun‐Yi Chou; Han-Fang Shiue; Hsing-Yang Chen; Chen-Hsiang Ling; et al 出版日期：2022-05-01 |
| 求助人 | |
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