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 High Performance AlN/GaN HEMT for Millimeter-Wave Low-Voltage Applications Fabricated Using Low-Damage Etching 低损伤刻蚀制备用于毫米波低压应用的高性能AlN/GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
蚀刻（微加工）
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
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电压
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hanzhen Li; Minhan Mi; Can Gong; Pengfei Wang; Yuwei Zhou; et al 出版日期：2024-01-01 |
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