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Improving Threshold Voltage and Device Performance of Gate-First HfSiON/Metal Gate n-MOSFETs by an ALD La[sub 2]O[sub 3] Capping Layer
通过ALD La[sub 2]O[sub 3]覆盖层提高栅极优先HfSiON/金属栅极n-MOSFETs的阈值电压和器件性能
相关领域
材料科学
原子层沉积
金属浇口
高-κ电介质
等效氧化层厚度
光电子学
栅极电介质
栅氧化层
随时间变化的栅氧化层击穿
氮化钽
电介质
退火(玻璃)
氮化物
阈值电压
堆栈(抽象数据类型)
氧化物
硅
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其它 |
期刊:Journal of The Electrochemical Society 作者:Satoshi Kamiyama; Etsuo Kurosawa; Yasuo Nara 出版日期:2008-01-01 |
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