标题 |
Comprehensive evaluation of gate-induced drain leakage in SOI stacked nanowire nMOSFETs operating in high-temperatures
高温下SOI堆叠纳米线NMOSFET栅极诱导漏极泄漏的综合评价
相关领域
纳米线
材料科学
泄漏(经济)
量子隧道
光电子学
绝缘体上的硅
导带
晶体管
阈值电压
排水诱导屏障降低
MOSFET
电压
电气工程
硅
电子
物理
经济
宏观经济学
工程类
量子力学
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期刊:Solid-State Electronics 作者:Michelly de Souza; A. Cerdeira; M. Estrada; M. Cassé; Sylvain Barraud; et al 出版日期:2024-04-01 |
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