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标题
An extraction method of channel resistance for analysis of carrier scattering mechanism in SiC trench MOSFETs
用于分析SiC沟槽MOSFET载流子散射机制的沟道电阻提取方法
相关领域
沟槽 材料科学 光电子学 MOSFET 散射 场效应晶体管 晶体管 信道长度调制 电子迁移率 浅沟隔离 电压降 图层（电子） 电压 电气工程 纳米技术 光学 物理 工程类
网址
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab6345
DOI
10.7567/1347-4065/ab6345 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Katsuhiro Kutsuki; Eiji Kagoshima; Toru Onishi; Jun Saito; Kensaku Yamamoto; et al
出版日期：2019-12-18
求助人
ZYH 在 2024-12-28 21:38:53 发布自上海，悬赏 10 积分
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