| 标题 |
 Gate Oxide Failure Mechanisms of SiC MOSFET Related to Electro-Thermomechanical Stress Under HTRB and HTGB Test HTRB和HTGB试验下SiC MOSFET与电热机械应力相关的栅极氧化物失效机制
相关领域
材料科学
MOSFET
压力（语言学）
氧化物
光电子学
碳化硅
电气工程
复合材料
冶金
工程类
晶体管
电压
语言学
哲学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
含蓄的明雪
苏卿
哎嘿
暮霭沉沉
pcr163
互助遵法尚德
iNk
吃不饱星球球长
彭于彦祖
从容芮
薰硝壤
HEIKU
Henry
Yziii
tuanheqi
加湿器
shinysparrow
Loooong
不安青牛
皖公网安备34019202002308
