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Understanding the Mechanism of SiC Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) and Developing Routes toward SiC Atomic Layer Deposition (ALD) with Density Functional Theory
用密度泛函理论理解SiC等离子体增强化学气相沉积（PECVD）机理和开发SiC原子层沉积（ALD）途径
相关领域
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网址
https://doi.org/10.1021/acsami.8b00794
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acsami.8b00794 doi
其它 期刊：ACS Applied Materials & Interfaces
作者：Ekaterina A. Filatova; Dennis M. Hausmann; Simon D. Elliott
出版日期：2018-04-10
求助人
CLX。 在 2025-02-12 15:21:10 发布自江苏，悬赏 10 积分
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