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 Simulation design of normally-off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with p-GaN Schottky hybrid gate p-GaN肖特基混合栅极常关AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模拟设计
相关领域
材料科学
光电子学
肖特基势垒
击穿电压
晶体管
肖特基二极管
高电子迁移率晶体管
阈值电压
图层（电子）
电压
电气工程
纳米技术
二极管
工程类
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期刊：Chinese Physics B 作者：Yunlong He; Fang Zhang; Kai Li; Yuehua Hong; Xuefeng Zheng; et al 出版日期：2022-06-01 |
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