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 Forming-free Pt/Al2O3/HfO2/HfAlOx/TiN memristor with controllable multilevel resistive switching and neuromorphic characteristics for artificial synapse 用于人工突触的具有可控多电平电阻开关和神经形态特性的无成形Pt/Al2O3/HfO2/HfAlOx/TiN忆阻器
相关领域
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记忆晶体管
电压
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非易失性存储器
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期刊：Journal of Alloys and Compounds 作者：Muhammad Ismail; Chandreswar Mahata; Sungjun Kim 出版日期：2022-02-01 |
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