Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths

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标题	Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths 栅长小于1nm的垂直MoS2晶体管相关领域晶体管材料科学光电子学二硫化钼薄膜晶体管制作薄脆饼石墨烯化学气相沉积数码产品纳米技术图层（电子）电气工程电压工程类病理医学冶金替代医学
网址	https://doi.org/10.1038/s41586-021-04323-3 AI链接 researchsquare.com nih.govdoi.org
DOI	10.1038/s41586-021-04323-3 doi
其它	期刊：Nature 作者：Fan Wu; He Tian; Yang Shen; Zhan Hou; Jie Ren; et al 出版日期：2022-03-09
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