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Effect of Floating Gate Insertion on the Analog States of Ferroelectric Field-Effect Transistors
浮栅插入对铁电场效应晶体管模拟态的影响
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Sangho Lee; Youngkwan Lee; Giuk Kim; Taeho Kim; Taehyong Eom; et al 出版日期:2022-11-29 |
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