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标题
Effect of stress interruption on TDDB lifetime during constant voltage stressing in metal-ferroelectric-insulator-semiconductor ferroelectric devices
金属-铁电-绝缘体-半导体铁电器件恒压应力时应力中断对TDDB寿命的影响
相关领域
铁电性 材料科学 随时间变化的栅氧化层击穿 压力（语言学） 凝聚态物理 绝缘体（电） 半导体 电压 光电子学 电气工程 工程类 物理 晶体管 电介质 哲学 语言学 栅氧化层
网址
https://doi.org/10.1016/j.microrel.2024.115584
DOI
10.1016/j.microrel.2024.115584 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：Tiang Teck Tan; Tian‐Li Wu; Hsien-Yang Liu; Cheng‐Yu Yu; K. Shubhakar; et al
出版日期：2024-12-30
求助人
画画的baby 在 2025-02-24 10:39:21 发布自上海，悬赏 10 积分
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