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 High mobility of IGO/IGZO double-channel thin-film transistors by atomic layer deposition 高迁移率IGO/IGZO双沟道薄膜晶体管的原子层沉积
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Pan Wen; Cong Peng; Z. Chen; Xiaobin Ding; Fa-Hsyang Chen; et al 出版日期：2024-03-25 |
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