Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias

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标题	Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias 相关领域高电子迁移率晶体管光电子学材料科学电气工程晶体管工程类电压
网址	https://doi.org/10.7498/aps.55.3622
DOI	10.7498/aps.55.3622 doi
其它	期刊：Chinese Physics 作者：Hao Yue; Han Xin-Wei; Zhang Jin-Cheng; Zhang Jin-Feng 出版日期：2006-07-20
求助人	南城小生在 2022-10-19 10:37:53 发布自江苏，悬赏 10 积分
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