GE SiC Semiconductor Device Operation at Extreme Temperatures

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标题	[高分] GE SiC Semiconductor Device Operation at Extreme Temperatures 相关领域材料科学光电子学锗碳化硅半导体半导体器件硅外延
网址	https://doi.org/10.4071/2380-4491.2021.HiTEC.000041
DOI	10.4071/2380-4491.2021.HiTEC.000041 doi
其它	期刊：Additional Conferences (Device Packaging, HiTEC, HiTEN, and CICMT) 作者：David Esler 出版日期：2021
求助人	陈东东在 2022-05-30 13:48:40 发布，悬赏 80 积分
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