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 AlN/GaN/AlGaN-on-Si HEMT Achieving 1.3 W/mm at 5 V for 5G FR2 Handsets 用于5G FR2手机的AlN/GaN/AlGaN-on-Si HEMT在5 V下实现1.3 W/mm
相关领域
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
电气工程
晶体管
纳米技术
工程类
电压
图层（电子）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hanchao Li; Hanlin Xie; Qingyun Xie; Siyu Liu; Yue Wang; et al 出版日期：2024-01-01 |
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