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 A Charge-Based Analytical Model for Gate All Around Junction-Less Field Effect Transistor Including Interface Traps 包含界面陷阱的栅极全向无结场效应晶体管基于电荷的分析模型
相关领域
材料科学
跨导
光电子学
绝缘体（电）
晶体管
阈下传导
场效应晶体管
电气工程
电压
工程类
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Pratikhya Raut; Umakanta Nanda 出版日期：2022-05-01 |
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