标题 |
Physical Mechanism for Different Phases and Turn-Around of Idsat in PMOS under HCI Stress
HCI胁迫下PMOS中Idsat不同相和周转的物理机制
相关领域
PMOS逻辑
计算机科学
物理
量子力学
电压
晶体管
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊: 作者:Bo-An Tsai; Wei-Cheng Chu; Yu‐Chih Chang; Yiheng Chen; Chien-Fu Chen 出版日期:2021-09-15 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|