| 标题 |
 Dual 4-A High-Speed Low-Side Gate Driver IC for GaN and Si MOSFETs and IGBTs 用于GaN和Si MOSFET和IGBT的双4-A高速低端栅极驱动器IC
相关领域
光电子学
材料科学
MOSFET
逻辑门
门驱动器
对偶（语法数字）
宽禁带半导体
电气工程
电子工程
晶体管
电压
工程类
艺术
文学类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM) 作者：Andrey A. Antonov; Maksim S. Karpovich; Vladislav Yu. Vasilyev 出版日期：2022-06-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
薰硝壤
Singularity
Leonardi
可靠的书桃
paparazzi221
一一
完美的天空
pcr163
HEIKU
ONESTUD
寻道图强
pluto
咖啡豆
彳亍1117
陈军
yufanhui
tuanheqi
8R60d8
iNk
皖公网安备34019202002308
