| 标题 |
 Study of effects of varying parameters on the dislocation density in 200 mm SiC bulk growth 200 mm SiC块体生长中位错密度变化参数的研究
相关领域
位错
材料科学
Crystal（编程语言）
晶体生长
压力（语言学）
有限元法
凝聚态物理
结晶学
热力学
复合材料
化学
物理
计算机科学
语言学
哲学
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
带头大哥
丰知然
毛豆
pluto
库昊的假粉丝
rosalieshi
坚强的广山
cocolu
司空豁
杳鸢
模糊中正
ni
asd
一一
彭于彦祖
wanci
zc0178
maox1aoxin
熊仔一百
子车茗
皖公网安备34019202002308
