Anti-Ferroelectric ZrO$_{\text{2}}$ Capacitors With Ultralow Operating Voltage ($<$1.2 V) and Improved Endurance Toward Logic Compatible eDRAM

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标题	Anti-Ferroelectric ZrO$_{\text{2}}$ Capacitors With Ultralow Operating Voltage ($<$1.2 V) and Improved Endurance Toward Logic Compatible eDRAM 反铁电ZrO$_{\text{2}}$电容器，具有超低工作电压（$<$1.2 V）和改进的逻辑兼容eDRAM耐久性相关领域电容器材料科学铁电性电压电气工程铁电电容器逻辑门光电子学电子工程工程类电介质
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3429289
DOI	10.1109/ted.2024.3429289 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Jiacheng Xu; Minglei Ma; Ruijie Shen; Haoji Qian; Gaobo Lin; et al 出版日期：2024-01-01
求助人	ouwen 在 2024-09-26 17:47:28 发布自河北，悬赏 10 积分
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