标题 |
Effect of helium ion beam treatment on the etching rate of silicon nitride
氦离子束处理对氮化硅刻蚀速率的影响
相关领域
材料科学
蚀刻(微加工)
离子
氦
离子注入
硅
氢氟酸
氮化硅
缓冲氧化物腐蚀
反应离子刻蚀
分析化学(期刊)
离子束
原子物理学
光电子学
化学
纳米技术
冶金
物理
有机化学
图层(电子)
色谱法
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms 作者:Yu. V. Petrov; T. V. Sharov; А. П. Барабан; О. Ф. Вывенко 出版日期:2015-03-03 |
求助人 | |
下载 | 暂无链接,等待应助者上传 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|