Gate-induced drain leakage current characteristics of p-type polycrystalline silicon thin film transistors aged by off-state stress

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标题	Gate-induced drain leakage current characteristics of p-type polycrystalline silicon thin film transistors aged by off-state stress 关态应力老化的p型多晶硅薄膜晶体管栅极感应漏极漏电流特性相关领域材料科学多晶硅薄膜晶体管光电子学排水诱导屏障降低阈值电压晶体管电气工程电压硅电场泄漏（经济）纳米技术工程类物理图层（电子）量子力学经济宏观经济学
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2018.07.009
DOI	10.1016/j.sse.2018.07.009 doi
其它	期刊：Solid-state Electronics 作者：J. Park; Kyungsoo Jang; Dongjoo Shin; Myunhun Shin; J.S. Yi 出版日期：2018-10-01
求助人	waitamoment 在 2024-10-31 10:46:15 发布自中国，悬赏 10 积分
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