标题 |
Hf0.5Zr0.5O₂-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors With HfO₂ Seed Layers for Radiation-Hard Nonvolatile Memory Applications
用于抗辐射非易失性存储器应用的具有HfO₂种子层的Hf0.5Zr 0.5 O₂基铁电场效应晶体管
相关领域
铁电性
材料科学
光电子学
分析化学(期刊)
化学
有机化学
电介质
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其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Chen Liu; Wenwu Xiao; Yue Peng; Binjian Zeng; Shuaizhi Zheng; et al 出版日期:2021-07-14 |
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