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Analytical Modeling of High-Voltage 4H-SiC Junction Barrier Schottky (JBS) Rectifiers
高压4H-SiC结势垒肖特基（JBS）整流器的解析建模
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网址
https://doi.org/10.1109/ted.2008.926638
DOI
10.1109/ted.2008.926638 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Lin Zhu; T. Paul Chow
出版日期：2008-08-01
求助人
酸汤肥牛 在 2025-01-21 11:11:48 发布自上海，悬赏 10 积分
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