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标题
Influence of the Device Structure on the Electrical and Photodetector Properties of n-MoS2/p-GaSe Heterojunction Optoelectronic Devices
器件结构对n-MoS2/p-GaSe异质结光电器件电学和光电探测器性能的影响
相关领域
异质结 响应度 光电子学 光电探测器 材料科学 光探测 整改 比探测率 电压 电气工程 工程类
网址
DOI
10.1021/acsanm.3c01376 doi
求助人
研友Bn 在 2025-02-06 16:22:25 发布自河南,悬赏 10 积分
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