High temperature reliability and performance evaluation of 1200 V SiC MOSFETs

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标题	High temperature reliability and performance evaluation of 1200 V SiC MOSFETs 1200 V SiC MOSFETs高温可靠性及性能评价相关领域可靠性（半导体）负偏压温度不稳定性材料科学光电子学栅极电介质电介质阈值电压表征（材料科学） MOSFET 可靠性工程电子工程电气工程电压纳米技术晶体管工程类功率（物理）物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127086
DOI	10.1016/j.jcrysgro.2023.127086 doi
其它	期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Guibao Wang; Yuan Liu; Xiaowen Wang; Yuming Zhang; Renxu Jia 出版日期：2023-03-01
求助人	wangli 在 2024-11-07 10:31:07 发布自天津，悬赏 10 积分
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