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标题
P‐20: Memory Window and Endurance Improvement of In‐Ga‐Zn‐O‐Based Ferroelectric Thin Film Transistors by Inserting In‐Ga‐Zn‐O Floating Gate
P-20：通过插入In-Ga-Zn-O浮栅提高In-Ga-Zn-O基铁电薄膜晶体管的存储窗口和耐久性
相关领域
窗口（计算） 材料科学 铁电性 光电子学 晶体管 薄膜晶体管 电气工程 纳米技术 图层（电子） 计算机科学 工程类 电压 操作系统 电介质
网址
https://doi.org/10.1002/sdtp.17819
DOI
10.1002/sdtp.17819 doi
其它 期刊：SID Symposium Digest of Technical Papers
作者：SeungYoon Shin; Yuseong Jang; Junhyeong Park; Soo‐Yeon Lee
出版日期：2024-06-01
求助人
清新的沛蓝 在 2025-03-06 14:57:31 发布自山西，悬赏 10 积分
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