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Investigation of Three‐Channel Heterostructure and High‐Electron‐Mobility Transistor with Quaternary In0.1Al0.5Ga0.4N Barrier
四元In0.1 Al 0.5 Ga 0.4 N势垒三沟道异质结构及高电子迁移率晶体管的研究
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Ang Li; Chong Wang; Yunlong He; Wentao Zhang; Xuefeng Zheng; et al 出版日期:2024-05-28 |
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