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(Invited) Doping Considerations for Finfet, Gate-All-Around, and Nanosheet Based Devices
（邀请）Finfet、全栅极和基于纳米片的器件的掺杂考虑
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寄生提取 兴奋剂 材料科学 纳米技术 逻辑门 纳米片 和大门 扩散 阈下传导 纳米线 电气工程 光电子学 电压 电子工程 工程物理 计算机科学 工程类 晶体管 物理 热力学
网址
https://doi.org/10.1149/09703.0063ecst
DOI
10.1149/09703.0063ecst doi
其它 期刊：ECS Transactions
作者：Ray Duffy; Fintan Meaney; Emmanuele Galluccio
出版日期：2020-04-24
求助人
Mood 在 2025-04-20 15:37:21 发布自江苏，悬赏 10 积分
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