Optimization of barrier height in InGaN quantum wells for rapid interwell carrier transport and low nonradiative recombination

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标题	Optimization of barrier height in InGaN quantum wells for rapid interwell carrier transport and low nonradiative recombination 相关领域材料科学重组量子阱光电子学激子光致发光分子物理学凝聚态物理半导体异质结
网址	https://doi.org/10.35848/1882-0786/abc856
DOI	10.35848/1882-0786/abc856 doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Rinat Yapparov; Cheyenne Lynsky; Shuji Nakamura; James S. Speck; Saulius Marcinkevičius 出版日期：2020
求助人	研友_qZ6jKZ 在 2022-02-18 11:04:56 发布，悬赏 10 积分
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