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Recess-free thin-barrier AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with ultra-low leakage current: Experiment and simulation study
超低漏电流无凹槽薄势垒AlGaN/GaN肖特基势垒二极管的实验与模拟研究
相关领域
材料科学
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Jianxun Dai; Huimin Yu; Huolin Huang; Taisen Ye; Haoping Peng; et al 出版日期:2024-05-13 |
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